STPSC4H065DI vs STPSC1006D

Bảng so sánh chi tiết giữa STPSC1006D và STPSC4H065DI cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
STPSC1006D

+BOM

15569 PCS | STMicroelectronics
STPSC4H065DI

+BOM

21321 PCS | STMicroelectronics
Gói TO-220-2 TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mô tả DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
ProductStatus Active Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 600 V 650 V
Current-AverageRectified(Io) 10A 4A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 4 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns -
Current-ReverseLeakage@Vr 300 µA @ 600 V 40 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 650pF @ 0V, 1MHz -
MountingType Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : STPSC1006D STPSC4H065DI

+BOM RFQ