TISP6NTP2CDR-S vs TISP61089BDR
Bảng so sánh chi tiết giữa TISP6NTP2CDR-S và TISP61089BDR cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SOIC-8
Mô tả
SURGE PROT THYRIST 155VDUAL SLIC
THYRISTOR 170V 30A 8SOIC
Supplier
-
Bourns Inc.
ProductStatus
Active
Obsolete
Voltage-Breakover
-
64V
Voltage-OffState
-
170V
Current-PeakPulse(10/1000µs)
-
30 A
Current-Hold(Ih)
-
150 mA
NumberofElements
-
2
Capacitance
-
100pF
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Voltage-Clamping
-112V
-
Technology
Mixed Technology
-
NumberofCircuits
4
-
Applications
SLIC
-
