1N5552US

Hình ảnh chỉ để tham khảo

1N5552US

+BOM

DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

  • Nhà sản xuấtCông nghệ Microchip

  • Ông. Phần #1N5552US

  • Gói SQ-MELF, B

  • Có sẵn6103

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Current - Average Rectified(Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 9 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 2 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 600 V
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D-5B

Sản phẩm liên quan đến 1N5552US