2SA812B-T1B-AT

Hình ảnh chỉ để tham khảo

2SA812B-T1B-AT

+BOM

2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI

  • Nhà sản xuấtcủa Renesas

  • Ông. Phần #2SA812B-T1B-AT

  • Gói TO-236-3

  • Có sẵn5169

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Rochester Electronics, LLC
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
Transistor Type PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 90 @ 1mA, 6V
Power - Max 200 mW
Frequency - Transition 180MHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount