Hình ảnh chỉ để tham khảo
ALD111933PAL
+BOMMOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
-
Nhà sản xuấtAdvanced Linear Devices Inc.
-
Ông. Phần #ALD111933PAL
-
Bảng dữ liệu ALD111933PAL DataSheet
-
Gói DIP-8
-
Có sẵn3174
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Advanced Linear Devices Inc. |
| Package / Case | Tube |
| Series | EPAD® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 500Ohm @ 5.9V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.35V @ 1µA |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Power - Max | 500mW |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |