Hình ảnh chỉ để tham khảo
APTGT75DA120T1G
+BOMIGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1
-
Nhà sản xuấtTập đoàn Microsemi
-
Ông. Phần #APTGT75DA120T1G
-
Bảng dữ liệu APTGT75DA120T1G DataSheet
-
Gói SP-1
-
Có sẵn9504
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 1200 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 110 A |
| Power - Max | 357 W |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 250 µA |
| Input Capacitance(Cies) @ Vce | 5.34 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
