APTM100A13SG

Hình ảnh chỉ để tham khảo

APTM100A13SG

+BOM

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

  • Nhà sản xuấtCông nghệ Microchip

  • Ông. Phần #APTM100A13SG

  • Gói SP-6

  • Có sẵn9005

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A
Rds On(Max) @ Id Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 6mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 562nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 15200pF @ 25V
Power - Max 1250W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Sản phẩm liên quan đến APTM100A13SG