Hình ảnh chỉ để tham khảo
APTM100H80FT1G
+BOMMOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
-
Nhà sản xuấtTập đoàn Microsemi
-
Ông. Phần #APTM100H80FT1G
-
Bảng dữ liệu APTM100H80FT1G DataSheet
-
Gói SP-1
-
Có sẵn3782
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 11A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 960mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Power - Max | 208W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
