Hình ảnh chỉ để tham khảo
APTM20DHM10G
+BOMMOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
-
Nhà sản xuấtTập đoàn Microsemi
-
Ông. Phần #APTM20DHM10G
-
Bảng dữ liệu APTM20DHM10G DataSheet
-
Gói SP-6
-
Có sẵn7968
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 175A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 12mOhm @ 87.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Power - Max | 694W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
