Hình ảnh chỉ để tham khảo
1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
-
Nhà sản xuấtCông ty TNHH ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L)
-
Ông. Phần #AS3D020120P2
-
Bảng dữ liệu AS3D020120P2 DataSheet
-
Gói TO-247-3
-
Có sẵn2748
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 30A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole |