Hình ảnh chỉ để tham khảo
B125C800DM-E3/45
+BOMBRIDGE RECT 1P 200V 900MA DFM
-
Nhà sản xuấtVishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
-
Ông. Phần #B125C800DM-E3/45
-
Bảng dữ liệu B125C800DM-E3/45 DataSheet
-
Gói EDIP-4
-
Có sẵn8687
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Single Phase |
| Technology | Standard |
| Voltage - Peak Reverse(Max) | 200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 900 mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 900 mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |