G26P04D5

Hình ảnh chỉ để tham khảo

G26P04D5

+BOM

P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22

  • Nhà sản xuấtGoford Semiconductor

  • Ông. Phần #G26P04D5

  • Có sẵn2592

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2479 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-DFN (4.9x5.75)

Sản phẩm liên quan đến G26P04D5