G3S12010B

Hình ảnh chỉ để tham khảo

G3S12010B

+BOM

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

  • Nhà sản xuấtCông nghệ điện toàn cầu-GPT

  • Ông. Phần #G3S12010B

  • Gói TO-247-3

  • Có sẵn2105

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Global Power Technology-GPT
Package Cut Tape (CT),Tape & Box (TB)
ProductStatus Active
DiodeConfiguration 1 Pair Common Cathode
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 1200 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 39A (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 5 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 50 µA @ 1200 V
OperatingTemperature-Junction -55°C ~ 175°C
MountingType Through Hole
Package/Case TO-247-3

Sản phẩm liên quan đến G3S12010B