Hình ảnh chỉ để tham khảo
G5S12008D
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI
-
Nhà sản xuấtCông nghệ điện toàn cầu-GPT
-
Ông. Phần #G5S12008D
-
Bảng dữ liệu G5S12008D DataSheet
-
Có sẵn5505
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 26.1A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 550pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SupplierDevicePackage | TO-263 |
