Hình ảnh chỉ để tham khảo
GC2X100MPS06-227
+BOMDIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
-
Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor
-
Ông. Phần #GC2X100MPS06-227
-
Bảng dữ liệu GC2X100MPS06-227 DataSheet
-
Gói SOT-227-4
-
Có sẵn9493
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Series | SiC Schottky MPS™ |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 209A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 50 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
