Hình ảnh chỉ để tham khảo
IDC04S60CEX1SA1
+BOMDIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
-
Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon
-
Ông. Phần #IDC04S60CEX1SA1
-
Bảng dữ liệu IDC04S60CEX1SA1 DataSheet
-
Gói Die
-
Có sẵn5808
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk |
| Series | CoolSiC™+ |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 4A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 4 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
