IHW20N65R5

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IHW20N65R5

+BOM

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

  • Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon

  • Ông. Phần #IHW20N65R5

  • Gói TO-247-3

  • Có sẵn7394

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Rochester Electronics, LLC
Package / Case Bulk
Part Status Active
IGBT Type Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 40 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 60 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 1.7V @ 15V, 20A
Power - Max 150 W
Input Type Standard
Gate Charge 97 nC
Td(on / off) @ 25°C 24ns/250ns
Test Condition 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 82 ns
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Sản phẩm liên quan đến IHW20N65R5