IRF7351PBF

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IRF7351PBF

+BOM

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1330pF @ 30V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến IRF7351PBF