IV1Q12050T4

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IV1Q12050T4

+BOM

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

  • Nhà sản xuấtInventchip

  • Ông. Phần #IV1Q12050T4

  • Có sẵn4783

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Inventchip
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.2V @ 6mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 20 V
Vgs(Max) +20V, -5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2750 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 344W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4