IXFT17N80Q

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXFT17N80Q

+BOM

MOSFET N-CH 800V 17A TO268

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXFT17N80Q

  • Có sẵn2848

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Box
Series HiPerFET™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 600mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268AA

Sản phẩm liên quan đến IXFT17N80Q