IXTP02N50D

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXTP02N50D

+BOM

MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXTP02N50D

  • Bảng dữ liệu IXTP02N50D DataSheet

  • Có sẵn4815

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Depletion
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 25µA
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 120 pF @ 25 V
FET Feature Depletion Mode
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3

Sản phẩm liên quan đến IXTP02N50D