IXTY2N60P

Hình ảnh chỉ để tham khảo

IXTY2N60P

+BOM

MOSFET N-CH 600V 2A TO252

  • Nhà sản xuấtSản phẩm IXYS

  • Ông. Phần #IXTY2N60P

  • Bảng dữ liệu IXTY2N60P DataSheet

  • Có sẵn3580

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Polar™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252AA

Sản phẩm liên quan đến IXTY2N60P