Hình ảnh chỉ để tham khảo
JAN1N6630US
+BOMDIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
-
Nhà sản xuấtCông nghệ Microchip
-
Ông. Phần #JAN1N6630US
-
Bảng dữ liệu JAN1N6630US DataSheet
-
Gói SQ-MELF, E
-
Có sẵn4605
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package | Bulk |
| Series | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 900 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1.4A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.4 V @ 1.4 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 50 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 2 µA @ 900 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SQ-MELF, E |
| SupplierDevicePackage | D-5B |
