Hình ảnh chỉ để tham khảo
JANTXV1N6629US
+BOMDIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
-
Nhà sản xuấtTập đoàn Microsemi
-
Ông. Phần #JANTXV1N6629US
-
Bảng dữ liệu JANTXV1N6629US DataSheet
-
Gói SQ-MELF, E
-
Có sẵn9762
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 1.4A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 1.4 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 800 V |
| Capacitance @ Vr F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D-5B |
