Hình ảnh chỉ để tham khảo
MBR50035CT
+BOMDIODE MODULE 35V 250A 2TOWER
-
Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor
-
Ông. Phần #MBR50035CT
-
Bảng dữ liệu MBR50035CT DataSheet
-
Gói Twin Tower
-
Có sẵn7172
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 250A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750 mV @ 250 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
