Hình ảnh chỉ để tham khảo
MBR600200CTR
+BOMDIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
-
Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor
-
Ông. Phần #MBR600200CTR
-
Bảng dữ liệu MBR600200CTR DataSheet
-
Gói Twin Tower
-
Có sẵn4291
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Anode |
| DiodeType | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 300A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 920 mV @ 300 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 3 mA @ 200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Twin Tower |
