MCQ3779-TP

Hình ảnh chỉ để tham khảo

MCQ3779-TP

+BOM

MCQ3779-TP

  • Nhà sản xuấtCông ty Thương mại Micro

  • Ông. Phần #MCQ3779-TP

  • Gói SOIC-8

  • Có sẵn6065

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Micro Commercial Co
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A, 4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V, 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 690pF @ 25V, 1055pF @ 25V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến MCQ3779-TP