MJD117-1G

Hình ảnh chỉ để tham khảo

MJD117-1G

+BOM

TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

  • Nhà sản xuấtonsemi

  • Ông. Phần #MJD117-1G

  • Gói TO-251-3

  • Có sẵn4024

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Rochester Electronics, LLC,onsemi
Package / Case Bulk,Tube
Part Status Active
Transistor Type PNP - Darlington
Current - Collector(Ic)(Max) 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 100 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff(Max) 20µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 1000 @ 2A, 3V
Power - Max 1.75 W
Frequency - Transition 25MHz
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Sản phẩm liên quan đến MJD117-1G