MSCSM120AM042T6AG

Hình ảnh chỉ để tham khảo

MSCSM120AM042T6AG

+BOM

PM-MOSFET-SIC-SP6C

  • Nhà sản xuấtCông nghệ Microchip

  • Ông. Phần #MSCSM120AM042T6AG

  • Gói Module

  • Có sẵn8265

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N Channel (Phase Leg)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 495A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.2mOhm @ 240A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.8V @ 18mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1392nC @ 20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 18100pF @ 1000V
Power - Max 2.031kW (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Sản phẩm liên quan đến MSCSM120AM042T6AG