NP36P06SLG-E1-AY

Hình ảnh chỉ để tham khảo

NP36P06SLG-E1-AY

+BOM

MOSFET P-CH 60V 36A TO252

  • Nhà sản xuấtCông ty Renesas Electronics America Inc

  • Ông. Phần #NP36P06SLG-E1-AY

  • Có sẵn3134

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Renesas Electronics America Inc
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3200 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK)

Sản phẩm liên quan đến NP36P06SLG-E1-AY