Hình ảnh chỉ để tham khảo
P3M06120K4
+BOMSICFET N-CH 650V 27A TO-247-4
-
Nhà sản xuấtPN Junction Semiconductor
-
Ông. Phần #P3M06120K4
-
Có sẵn90
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | PN Junction Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Series | P3M |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 27A |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 15V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 158mOhm @ 10A, 15V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 5mA |
| Vgs(Max) | +20V, -8V |
| Power Dissipation (Max) | 131W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
