Hình ảnh chỉ để tham khảo
PDTD113EK,115
+BOMTRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
-
Nhà sản xuấtNXP Hoa Kỳ Inc.
-
Ông. Phần #PDTD113EK,115
-
Bảng dữ liệu PDTD113EK,115 DataSheet
-
Gói TO-236-3
-
Có sẵn5758
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | NXP USA Inc. |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 50 V |
| Resistor - Base(R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base(R2) | 1 kOhms |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 500nA |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
