Hình ảnh chỉ để tham khảo
PHKD6N02LT,518
+BOMMOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
-
Nhà sản xuấtNexperia Hoa Kỳ Inc.
-
Ông. Phần #PHKD6N02LT,518
-
Bảng dữ liệu PHKD6N02LT,518 DataSheet
-
Gói SOIC-8
-
Có sẵn8099
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Nexperia USA Inc.,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Series | TrenchMOS™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10.9A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 20mOhm @ 3A, 5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 15.3nC @ 5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 950pF @ 10V |
| Power - Max | 4.17W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
