R6009JND3TL1

Hình ảnh chỉ để tham khảo

R6009JND3TL1

+BOM

MOSFET N-CH 600V 9A TO252

  • Nhà sản xuấtBán dẫn Rohm

  • Ông. Phần #R6009JND3TL1

  • Có sẵn8733

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 7V @ 1.38mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22 nC @ 15 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 645 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252

Sản phẩm liên quan đến R6009JND3TL1