RN1109MFV,L3F

Hình ảnh chỉ để tham khảo

RN1109MFV,L3F

+BOM

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

  • Nhà sản xuấtToshiba Semiconductor và lưu trữ

  • Ông. Phần #RN1109MFV,L3F

  • Gói SOT-723

  • Có sẵn9634

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V
Resistor - Base(R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 22 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA
Power - Max 150 mW
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến RN1109MFV,L3F