Hình ảnh chỉ để tham khảo
SCT040H65G3AG
+BOMAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
-
Nhà sản xuấtSTMicroelectronics
-
Ông. Phần #SCT040H65G3AG
-
Có sẵn75
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 55mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.2V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 39.5 nC @ 18 V |
| Vgs(Max) | +18V, -5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 920 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (Max) | 221W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
