SCT2160KEC

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SCT2160KEC

+BOM

SICFET N-CH 1200V 22A TO247

  • Nhà sản xuấtBán dẫn Rohm

  • Ông. Phần #SCT2160KEC

  • Bảng dữ liệu SCT2160KEC DataSheet

  • Có sẵn6310

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 18V
Rds On(Max) @ Id Vgs 208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 62 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1200 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247

Sản phẩm liên quan đến SCT2160KEC