SI4532DY

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI4532DY

+BOM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Rochester Electronics, LLC
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.9A, 3.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 235pF @ 10V
Power - Max 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SI4532DY