SI5515DC-T1-E3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SI5515DC-T1-E3

+BOM

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

  • Nhà sản xuấtSản phẩm Vishay Siliconix

  • Ông. Phần #SI5515DC-T1-E3

  • Gói 8-SMD, Flat Lead

  • Có sẵn9905

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.4A, 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.5nC @ 4.5V
Power-Max 1.1W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SMD, Flat Lead

Sản phẩm liên quan đến SI5515DC-T1-E3