Hình ảnh chỉ để tham khảo
SICB0860P-TP
+BOMSIC SCHOTTKY BARRIER , 8A ,650V
-
Nhà sản xuấtCông ty Thương mại Micro
-
Ông. Phần #SICB0860P-TP
-
Bảng dữ liệu SICB0860P-TP DataSheet
-
Gói TO-263-3
-
Có sẵn6302
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Micro Commercial Co |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 8A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 36 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 346pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
