Hình ảnh chỉ để tham khảo
SIDC09D60E6YX1SA1
+BOMDIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
-
Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon
-
Ông. Phần #SIDC09D60E6YX1SA1
-
Bảng dữ liệu SIDC09D60E6YX1SA1 DataSheet
-
Gói Die
-
Có sẵn7273
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 20A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
