Hình ảnh chỉ để tham khảo
SIDC11D60SIC3
+BOMDIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
-
Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon
-
Ông. Phần #SIDC11D60SIC3
-
Bảng dữ liệu SIDC11D60SIC3 DataSheet
-
Gói Die
-
Có sẵn3973
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Discontinued at Digi-Key |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 4A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.9 V @ 4 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 200 µA @ 600 V |
| Capacitance@VrF | 150pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | Die |
| SupplierDevicePackage | Sawn on foil |
