SIS590DN-T1-GE3

Hình ảnh chỉ để tham khảo

SIS590DN-T1-GE3

+BOM

COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Power - Max 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến SIS590DN-T1-GE3

  • Trích dẫn nhanh chóng

  • Gửi yêu cầu báo giá của bạn cho SIS590DN-T1-GE3 sử dụng biểu mẫu này.chúng tôi sẽ trả lời trong vòng 12 giờ.