Hình ảnh chỉ để tham khảo
SM8S30AHE3/2D
+BOMTVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
-
Nhà sản xuấtVishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
-
Ông. Phần #SM8S30AHE3/2D
-
Bảng dữ liệu SM8S30AHE3/2D DataSheet
-
Gói DO-218AB
-
Có sẵn2736
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
| Part Status | Obsolete |
| Type | Zener |
| Unidirectional Channels | 1 |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 30V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 33.3V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 48.4V |
| Current - Peak Pulse(10 / 1000µs) | 136A |
| Power - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
| Power Line Protection | No |
| Applications | Automotive |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
