Hình ảnh chỉ để tham khảo
STB11NM60-1
+BOMMOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
-
Nhà sản xuấtSTMicroelectronics
-
Ông. Phần #STB11NM60-1
-
Bảng dữ liệu STB11NM60-1 DataSheet
-
Có sẵn3531
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tube |
| Series | MDmesh™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK |
