Hình ảnh chỉ để tham khảo
STH400N4F6-6
+BOMMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
-
Nhà sản xuấtSTMicroelectronics
-
Ông. Phần #STH400N4F6-6
-
Bảng dữ liệu STH400N4F6-6 DataSheet
-
Có sẵn6981
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.15mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 404 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 20500 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
