Hình ảnh chỉ để tham khảo
STI11NM80
+BOMMOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
-
Nhà sản xuấtSTMicroelectronics
-
Ông. Phần #STI11NM80
-
Bảng dữ liệu STI11NM80 DataSheet
-
Có sẵn3556
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | MDmesh™ |
| ProductStatus | Not For New Designs |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 800 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 11A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1630 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 150W (Tc) |
| OperatingTemperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | I2PAK (TO-262) |
