Hình ảnh chỉ để tham khảo
STP4NB100
+BOMMOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
-
Nhà sản xuấtSTMicroelectronics
-
Ông. Phần #STP4NB100
-
Bảng dữ liệu STP4NB100 DataSheet
-
Có sẵn3865
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | PowerMESH™ |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1000 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.8A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 4.4Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1400 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 125W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-220 |
