TP65H035WS

Hình ảnh chỉ để tham khảo

TP65H035WS

+BOM

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

  • Nhà sản xuấtTransphorm

  • Ông. Phần #TP65H035WS

  • Có sẵn59

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Transphorm
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 46.5A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 12V
Rds On(Max) @ Id Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.8V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-3

Sản phẩm liên quan đến TP65H035WS