Hình ảnh chỉ để tham khảo
TP65H480G4JSG-TR
+BOMGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
-
Nhà sản xuấtTransphorm
-
Ông. Phần #TP65H480G4JSG-TR
-
Có sẵn238
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Transphorm |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 8V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.8V @ 500µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 9 nC @ 8 V |
| Vgs(Max) | ±18V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (Max) | 13.2W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (5x6) |
